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[组图]“2014中英碳化硅电力电子技术高端论坛”顺利召开

作者:admin 审核人: 发布时间:2014-11-04 浏览量:

        2014年10月31日,“2014中英碳化硅电力电子技术高端论坛”(2014 UK China Silicon Carbide Power Electronics High End Forum)在重庆顺利召开。来自中国与英国学术界和企业界的53名专家学者对国内外碳化硅电力电子技术领域的发展与应用现状研讨和交流,同时重庆大学与英国华威大学(The University of Warwick)就碳化硅电力电子联合实验室的建设达成合作意向,并签订了合作协议。本次会议由重庆大学配输电装备及系统安全与新技术国家重点实验室主办,并受到国家自然科学基金委、教育部、国家电网公司、南方电网公司、中国南车股份有限公司、RCUK China、UKTI、重庆市科委等单位的大力支持。

 

 

        论坛开幕式由重庆大学电气工程学院陈民铀教授主持,重庆大学副校长刘庆教授致欢迎词。国家自然科学基金委工程与材料学部主任丁立健,重庆市科委国际合作处处长向斌出席了会议并致辞。

 

 

        随后,重庆大学与英国华威大学合作协议签字仪式正式举行。电气工程学院院长廖瑞金代表重庆大学与英国华威大学签署了共建“碳化硅电力电子联合实验室”的合作协议。

 

 

        论坛邀请到英国华威大学Philip Mawby教授、中国科学院院士陈星弼(电子科技大学)、浙江大学盛况教授做特邀报告。Philip Mawby教授在题为《Underpinning Sciences in Semiconductor Materials for Modern SiC Power Devices》的报告中表示SiC电力电子器件凭借其环保、高效、经济性、高稳定性等优势成为未来功率器件的发展趋势,同时,SiC电力电子器件仍然有许多待解决的问题需要大家共同的努力。浙江大学盛况教授以《Design of High Power, High Voltage SiC Devices》为题介绍了浙江大学SiC电力电子实验室现状、SiC器件研究现状、 GaN研究现状、SiC模块发展现状以及SiC器件应用范围等几个方面。陈星弼院士以《On Optimization of Electric Field Distribution inside Power Semiconductor Devices》为题,详细介绍了一种通过优化芯片内部的电场分布从而实现功率器件最优性能的方法。

 

 

英国华威大学Philip Mawby教授

 

 

 

浙江大学盛况教授

 

 

 

中国科学院院士陈星弼

 

        在下午的特邀报告环节中,英国剑桥大学Patrick Palmer教授、英国Dynex-CSR CEO Paul Taylor博士、重庆大学冉立教授围绕着碳化硅电力电子器件的功能特性、发展前景、应用领域等方面分别做了题为《Potential Applications and Impacts of SiC Power Semiconductor Devices in Future Smart Power Transmission and Distribution Grids》、《SiC Power Module Technology for High Power Applications》、《Power Electronics Reliability and Potential Application of SiC Power Devices in Renewable Power Generation 》的报告。

 

 

英国剑桥大学Patrick Palmer教授

 

 

 

英国Dynex-CSR CEO Paul Taylor博士

 

 

 

重庆大学冉立教授

 

        每阶段学术报告结束后,国内外与会专家均进行了热烈的交流与研讨,论坛现场一直围绕在浓厚的学术氛围中。
        在全体与会代表和会议主办、协助单位的共同努力下,“2014 中英碳化硅电力电子技术高端论坛”取得了圆满成功。今年2月教育部发布了《国际合作联合实验室计划》,鼓励高校依托优势学科和国家级创新科技平台,整合形成一批国际合作联合实验室,“碳化硅电力电子联合实验室”的建立正是在这一政策大背景下开展的深度国际合作。重庆大学与英国华威大学希望通过论坛的持续举办和联合实验室的建立,进一步深化在科研和学科人才培养方面的合作,共同促进SiC电力电子技术及其相关领域的发展。